IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种非常重要的功率半导体器件。它结合了金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管的优点，具有高输入阻抗、高速开关性能、低饱和电压等特性，在电力电子领域有着广泛的应用。
IGBT的工作原理基于一种称为电导调制的现象，这种现象使得IGBT能够在较低的驱动电压下实现较大的电流控制能力。具体来说，IGBT由一个P+层、N-漂移区、P基区、N+缓冲层、N+集电区以及栅极构成。当在栅极施加正向偏置电压时，会在N-漂移区和P基区之间形成一个反型层，从而允许载流子通过，实现电流的导通；反之，如果栅极电压为零或负值，则会切断电流流动路径，使IGBT处于关断状态。
IGBT因其卓越的性能，在新能源汽车、轨道交通、智能电网、工业自动化设备等领域发挥着重要作用。例如，在新能源汽车中，IGBT是电机控制器的核心部件之一，负责将电池的直流电转换为交流电来驱动电动机；在智能电网中，IGBT可以用于逆变器和整流器，实现电能的高效变换与传输。此外，随着第三代半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展，IGBT也在不断地向着更高效率、更小体积、更高温度耐受性的方向发展。